母子淫荡网 东方晶源DR-SEM r655：技能鼎新开动国产检测开垦升级

东方晶源多年来深耕电子束检测鸿沟母子淫荡网，其电子束弱势检测开垦EBI与枢纽尺寸量测开垦CD-SEM先后达成国产替代零的冲破，并获商场招供。

2023岁首，东方晶源推出DR-SEM r600，搭配3通说念电子成像技能与新式开垦平台，在客户端完成量产考证，为后续开垦奠定了基础。经过两年时期迭代研发，东方晶源最新一代DR-SEM r655产物将搭载全新的高性能电子枪和光学检测模组，以及升级版传片系统和算法系统，冲破一系列技能难点，缓和国内先进制程产线运用需求。

电子束检测成像：5通说念探伤器阴私更浅显的检测需求

全标的弱势表征：4个侧向探伤器扶持全角度刻画扫描，显贵普及弱势立体成像效率，助力工程师精确判定弱势类型与成因，尤其对浅刮伤等细小弱势的复检收效率普及彰着。

材料衬度理解优化：尖端探伤器增强背散射电子信号接收武艺，精确捕捉材料衬度各异，缓和先进制程对多种运用场景的需求。

时髦宽比工艺兼容：协作高加快电场野心，适配时髦宽比结构检测，性能对标海外锻真金不怕火机型。

光学检测升级：冲破醒目度极限

针对无图形晶圆弱势复检需求，最新一代的r655通过两项中枢改良达成冲破：

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光路优化：退换弱势接收光路，减轻与目标弱势尺寸的检测差距。

深紫外光源系统：基于自研光路和定制开垦的国产深紫外激光源，光学检测醒目度普及至20nm，翌日可进一步优化性能。

着力跃升：产能对标海外水平

r655通过平台级升级，全面优化晶圆蒙眬效率：

传输与指点收尾：裁汰晶圆传输时期，协作新一代电子光学系统加快弱势持取，贬责速率接近海外一线开垦。

模块化扩张野心：新平台具备无邪的可拓展性，扶持多个选配模组和升级需求，兼容先进制程的万般化检测需求，确保开垦长期技能竞争力。

翌日布局：智能化与国产化深度交融

东方晶源以“高性能优化（HPO）”为核脸色念，前瞻性整合DR-SEM与GDS-Design系统，通过智能算法普及弱势持取率，鼓吹检测进程自动化。此举旨在通过自主鼎新，冲破枢纽技能瓶颈，走出自研开垦的说念路，为半导体产业链自主可控提供坚实撑持。

结语

从技能攻坚到产能冲破母子淫荡网，东方晶源DR-SEM系列产物连续以求实鼎新回复商场需求。r655的推出，秀雅着国产电子束检测开垦在精度、效率与智能化鸿沟迈入新阶段，为我国半导体先进制程发展注入强劲动能。